近日英特尔在ISSCC 2025上，公布了其在半导体制造限制的一些施展，先容了备受期待的Intel 18A工艺时间，其中强调了SRAM密度的首要矫正。比年来SRAM单位的扩张仍是变得非常清贫，遭受了SRAM单位缩减放缓的问题。台积电（TSMC）在3nm制程节点上就莫得什么矫正，与5nm制程节点基本没区别，不传奇闻到2nm制程节点似乎也会有质的转变。
据HardwareLuxx报谈，英特尔展示了我方的恶果，称SRAM位单位尺寸将从Intel 3工艺的0.03μm²松开到Intel 18A工艺的0.023μm²，HDC也透流露同样的矫正，松开到0.021µm²，得到了可以的卓越。比拟之下，台积电N5、N3B和N2工艺的SRAM位单位大小分手为0.021µm²、0.0199μm²和0.0175μm²。
英特尔还在Intel 18A引入了PowerVia背部供电时间，这是其处治处理器逻辑区域电压下跌和搅扰的首选程序。英特尔接收了“环绕阵列”有野心，政策性地将PowerVias运用于 I/O、驱散妥协码器元件，同期优化了位单位想象，而无需正面供电。
Intel 18A的SRAM密度为31.8Mb/mm²，比起台积电N3E非常，比起N2的38Mb/mm²要忘形一些。英特尔但愿归并PowerVia和GAA晶体管架构开yun体育网，可以向台积电发起挑战，争夺像英伟达、苹果和高通这类高端客户。